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Home Fórmulas Físicas Electrónica

Electrónica

Viernes 15 de Mayo de 2009 16:13 Fran
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Electrónica
Semiconductores
Conductividad de una muestra semiconductora s = n mn q + p mp q
  q = carga del electrón
n, p = densidad de electrones y de huecos
mn , mp = movilidades de electrones y huecos
Semiconductor intrínseco n = p = ni
densidad de electrones = densidad de huecos
resistividad 
 r = 1 / s
Semiconductor con impurezas aceptadoras y donadoras Neutralidad eléctrica:
n + NA- = p + ND+
NA (número de impurezas aceptadoras) 
ND (número de impurezas donadoras)
Ley de acción de masas n p = ni2
Nivel de dopado alto ND - NA >> ni
Semiconductor tipo n s @ q n mn
ND @ n
p = ni2 / ND
Semiconductor tipo p s @ q p mp
NA @ p
n = ni2 / NA

Diodo de unión p - n
Corriente inversa de saturación (depende de las características del diodo) Io = A q [ Dn npo / Ln + Dp pno / Lp]
donde A es la sección de la unión, q la carga del electrón.
Dn y Dp son las constantes de difusión para electrones y huecos
Ln = [Dn tn]1/2
Corriente total del diodo I = Io [exp (V / VT) - 1]
  Lp es la distancia dentro del semiconductor a la que la concentración inyectable disminuye a 1/e de su valor máximo.
  tp y tn es la vida media de los portadores
Potencial de contacto Vo = [K T / q] ln [ NA ND / ni2 ]
Anchura de la zona de transición l = [ (2 e / q) Vo ( 1 / NA + 1 / ND)]1/2
l = xn + xp
anchura de la zona tipo p de la región de transición 
 xp = l ND / ( NA + ND)
  xn = l NA / ( NA + ND)
Campo eléctrico máximo E (0) = - [ (2 q / e) Vo (NA ND) / (NA + ND)]1/2
  Vo = V (xn) - V (-xp)

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